74hc164 74HC164 74HC164-设备概述,74HC164-设备特性

74HCT164是高速硅门 CMOS 器件,与低功耗肖特基型 TTL (LSTTL) 器件的引脚兼容。74HC164、74HCT164是8位边沿触发式移位寄存器,串行输入数据,然后并行输出。数据通过两个输入端(DSA 或 DSB)之一串行输入;任一输入端可以用作高电平使能端,控制另一输入端的数据输入。两个输入端或者连接在一起,或者把不用的输入端接高电平,一定不要悬空。

74hc164_74HC164 -设备概述

8 位串入、并出移位寄存器


74HC164

74HC164、74HCT164 是高速硅门 CMOS 器件,与低功耗肖特基型 TTL (LSTTL) 器件的引脚兼容。74HC164、74HCT164 是 8 位边沿触发式移位寄存器,串行输入数据,然后并行输出。数据通过两个输入端(DSA 或 DSB)之一串行输入;任一输入端可以用作高电平使能端,控制另一输入端的数据输入。两个输入端或者连接在一起,或者把不用的输入端接高电平,一定不要悬空。

时钟 (CP) 每次由低变高时,数据右移一位,输入到 Q0, Q0 是两个数据输入端(DSA 和 DSB)的逻辑与,它将上升时钟沿之前保持一个建立时间的长度。

主复位 (MR) 输入端上的一个低电平将使其它所有输入端都无效,同时非同步地清除寄存器,强制所有的输出为低电平。

74hc164_74HC164 -设备特性

74hc164 74HC164 74HC164-设备概述,74HC164-设备特性

门控串行数据输入 异步中央复位 符合 JEDEC 标准 no. 7A 静电放电 (ESD) 保护:

・HBM EIA/JESD22-A114-B 超过 2000 V

・MM EIA/JESD22-A115-A 超过 200 V 。 多种封装形式 额定从 -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C 。

74hc164_74HC164 -温度区别

74HC164 :下限温度 -40度 上限温度85度

54HC164: 下限温度 -55度 上限温度125度

74hc164_74HC164 -极限参数

直流电压 VDD:l-0.5V――7V

输入钳位电流 :-20MA―20MA

输出钳位电流 :-20MA―20MA

连续输出电流:-25MA―25MA

通过VCC 或GND的电流:-50MA―50MA


74HC164

引脚焊接温度:+265度

74hc164_74HC164 -引脚说明

1 A B :与门数据输入端

2 QA―QH:并行数据输出端

3 CLR: 异步清零输入端

4 CLK:时钟输入端


74HC164

图7-2 74HC164的引脚

5 内部参数

操作说明

真值表


1640CLR CLK A BQA QB QC QD QE QF QG QHL?????? --?? --? ?--L????? ?L?? L ?? L? ?L???? ?L?? L? ?LH????? L??? --?? --QA0 QB0 QC0 QD0 QE0 QF0 QG0 QH0H 上升? H ?HH QAN ―――――――――――――― QHH? 上 升 L --L QAN―――――――――――――― QH

注解:

1 QA0 QB0 QC0 QD0 QE0 QF0 QG0 QH0稳定状态输入条件被确定前的电平

2 QAN QBN QCN QDN QEn QFN QGN QHN 最近CLK上升前QA ――QH的电平

74hc164_74HC164 -其它

引脚信息

DIP14、SO14、SSOP14 和 TSSOP14 封装的引脚配置

引脚说明

符号引脚说明DSA1数据输入DSB2数据输入Q0~Q33~6输出GND7地 (0 V)CP8时钟输入(低电平到高电平边沿触发)/M/R9中央复位输入(低电平有效)Q4~Q710~13输出VCC14正电源

功能表

工作模式输入输出/M/RCPDSADSBQ0Q1 至 Q7复位(清除)LLXXL:L至L移位H↑llL:qo至q6H↑lhLq0 至 q6H↑hlLq0 至 q6H↑hhHq0 至 q6

H = HIGH(高)电平

h = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 (set-up time) 的 HIGH(高)电平

L = LOW(低)电平

l = 先于低-至-高时钟跃变一个建立时间 (set-up time) 的 LOW(低)电平

q = 小写字母代表先于低-至-高时钟跃变一个建立时间的参考输入 (referenced input) 的状态

↑ = 低-至-高时钟跃变

极限值

符合绝对最大额定值体系 (IEC 60134) 的规定。电压参考点为 GND(地 = 0 V)。

对于 DIP14 封装:Ptot 在超过 70 °C 时以 12 mW/K 的速度线性降低。

对于 SO14 封装:Ptot 在超过 70 °C 时以 8 mW/K 的速度线性降低。

对于 SSOP14 和 TSSOP14 封装:Ptot 在超过 60 °C 时以 5.5 mW/K 的速度线性降低。

对于 DHVQFN14 封装:Ptot 在超过 60 °C 时以 4.5 mW/K 的速度线性降低。

  

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