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IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用着称的HEXFET设计,使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。

irf3205_irf3205 -概述

IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造,具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用着称的HEXFET设计,使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。

irf3205_irf3205 -参数信息

Package TO-220AB

Circuit Discrete

Polarity N

VBRDSS = 55 V

RDS(on) = 8.0 mOhms ID @ 25C = 98 A ID @ 100C = 69 A Qg Typ 97.3

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Qgd Typ 36.0

Rth(JC) 1.00


irf3205

Power Dissipation = 150 W

PbF - FETD PbF Option Available

irf3205_irf3205 -特性介绍

先进的工艺技术 贴片安装 低端通孔安装 超低导通阻抗 动态dv/dt率 175℃工作温度 快速转换速率 无铅环保


irf3205

irf3205_irf3205 -作用内容

逆变器及高频鱼机使用挺多的一种效应管

  

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