爱华网中村修二（Shuji Nakamura），1954年5月22日出生于日本伊方町，毕业于日本德岛大学，日裔美籍电子工程学家，美国加州大学圣塔芭芭拉分校工程学院材料系教授。 中村修二于1993年在日本日亚化学工业株式会社(Nichia Corporation)就职期间，基于GaN开发了高亮度蓝色LED，从而广为人知。当时，开发一种蓝色LED被认为是不可能的，此前的20年间只有红色和绿色LED。 2014年10月7日，赤崎勇、天野浩和中村修二因发明“高效蓝色发光二极管”而获得2014年诺贝尔物理学奖。
中村修二_中村修二 -人物简介
中村修二
中村修二，1973年爱媛县立大洲高等学校毕业，1977年德岛大学工学部电气工程科毕业，1979年获得工学硕士学位（德岛大学）。完成学业后，中村修二原定进入京瓷公司。但为照顾大学时代出生的孩子，改入邻近的日亚化学工业公司，在开发课工作。
日亚时期，中村修二竭力主张开发蓝色激光二极管的前景，日亚因此拨给中村3亿日圆的研发经费。赴美国佛罗里达大学留学一年后，中村回到日亚，投入2亿日圆着手改造MOCVD装置，但公司制止了此一研究。
其后，中村发明了以GaN（氮化镓）晶体制作蓝色发光元件的two flow MOCVD法。Two flow MOCVD法即通称的404专利，围绕着专利与专利转让问题，中村与日亚展开了一系列诉讼。
在诉讼中，日亚宣称Two flow MOCVD毫无价值，不待诉讼结束，日亚就愿意将专利权让给中村。东京高等法院因此做出“建议和解”的裁决，对此，中村及其律师在记者会抨击“日本司法已彻底腐烂”。
中村于1999年离开日亚公司。其后在加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）校长杨祖佑的强力邀请下，于2000年进入UCSB，担任教授。
在日本媒体的预测中，中村被看好角逐诺贝尔物理学奖。2014年正式获奖。
中村修二_中村修二 -人物履历
中村修二
1954年，出生于日本日本爱媛县伊方町；
1965年，爱媛县小学转入兵库县尼崎市・尼崎市立桩濑小学；
1967年，尼崎市立桩濑小学毕业；
1973年，爱媛县立大洲高等学校普通科毕业；
1977年，德岛大学工学院电子工程学士毕业；
1979年，德岛大学电子工程硕士学位毕业， 同年进入日亚化学(Nichia)；
1987年，佛罗里达大学电子工学部留学（1988年9月）；
1988 年，日亚化学资助中村进入美国佛罗里达州立大学研究金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)；
1989年，中村教授开始研究基于三族氮材料的蓝光LED；
1991年，获得氮化镓成长的关键技术；
1993年，高亮度青色发光二极管的开发，开发了蓝色发光二极管--被称为世纪发明、诺贝尔奖级别的发明--该项技术曾被认为20世纪不可能的任务--并商品化；
1994年，日本德岛大学“InGaN高亮度LED青色
