爱华网一、工作原理
电路工作原理的方框图如图1所示。电路共由6个部分组成。分别为天线、检波电路、信号比较电路、应答信号去除电路、脉冲产生电路和发声电路。电路原理图如图2所示。提醒器使用了勒谢尔天线，这种天线有结构简单、信号强等特点。当有手机来电时，手机产生的高频信号(约1.5GHz)被U形勒谢尔天线接收并谐振，在天线上产生电信号。这个电信号通过阻抗匹配后再送到由二极管VD1等元件组成的检波电路进行检波。在二极管VD1的负极端得到一连串的宽度为几十ms的窄脉冲。但是，这些脉冲信号电压还是比较小的。为了提高电压，再将信号通过IC1A等元件组成的比较电路进行比较后，在比较电路的输出端得到约为3V的脉冲信号。将这些脉冲信号通过二极管的隔离后，再通过电阻R4加到C2上。C2、V1和IC2等元件组成应答信号去除电路。由于手机一部分信号是和基站应答的信号，也就是手机基站和手机之间在规定的时间会互相应答，它不是来电信号。如果这部分信号通过，那么，没有来电时，提醒器也会发出“嘀嘀”叫声。故采用了去除电路将其滤除。由于应答信号不会很久，时间约2～3秒。这样，把应答信号产生的脉冲加到电容C2上，由于时间短，电容C2上升的电压不会很高，也就是达不到场效应管v1的开启电压Vgs。这时，场效应管不导通。当C2上加的是来电信号电压时，脉冲信号时间较长，C2上的电压达到开启电压Vgs，场效应管V1导通，光电耦台器IC2也导通。于是，电源电压通过光电耦台器中的光敏三极管加到IC1B等元件组成的脉冲产生电路上。脉冲产生电路是一个单运放的多谐振荡器。在光电耦台器不导通时，运算放大器的同相输八端为低电平，而反相输入端通过电阻R8接电源正极，即反相输入端电压大于同相输入端电压。运算放大器输出为低电平不产生脉冲信号。当IC2导通后，运算放大器同相输入端电压大于反相输入端电压，输出变为高电平。这时输出高电平通过电阻R9向C3充电，反相输入端电压不断上升，当电压达到同相输入端电压时，输出又翻回低电平。这时，电容C3又通过电阻R9放电。当反相输入端电压低至同相输入端时，输出又为高电平。这样重复上述过程形成脉冲振荡，输出一连串脉冲信号。频率为2Hz～3Hz。这些脉冲再通过三极管V2等元件组成的发声电路进行信号功率放大，由蜂鸣器HD发出“嘀嘀”的叫声。
二、元件选择
天线直接做在电路板上，尺寸已在电路图中标出，天线的宽度为1mm，并在线上焊一层锡。运算放大器Ic1使用内部为CMOS的集成电路，型号为TLC27L2Cp。二极管VD1使用高频检波二极管1SS106，不可用IN60。C1使用瓷片电容。二极管VD2用管压降较低的二极管，型号为IN5819。C2使用漏电较小的钽电容。场效应管V1用2SK1113或其他开启电压VGS在1.5v左右的小功率场效应管。光电耦合器IC2用P621或P521-PC817可以直接代替P621。三极管V2用9014，β在150～200。蜂鸣器HD用5V有源蜂鸣器。电池用3V的钮扣电池，型号为CR2025。为了减小手机提醒器的体积，要求元件尽可能用小型的。
三、制作方法
按电路图设计制作一块小电路板。要求把天线做在电路板的一侧。并用蜡进行覆盖。目的是避免潮湿影响天线产生的信号。除蜂鸣器不装在电路板上，其他元件全部焊在电路板上。电池安装需要制作铜的电池夹。蜂鸣器通过一长25cm的黑色双芯软导线焊在电路板上。
元件焊接无误后，先拆下电容C2，装上电池。用手机接收来电，在30cm～40cm距离提醒器要能发出“嘀嘀”的叫声。如达不到要求，可调整天线输出匹端的位置，一般离天线底端可调距离在3mm～6mm。还可以试着改变R2的阻值，但一般在100kΩ左右。正常后，焊上电容C2，再用手机接收来电，在手机响铃时，提醒器“嘀嘀”声要同时响起。如果有出入，可以改变电阻R4的值。然后，制作一个小外壳(笔者直接用珠宝盒)。在外壳的一例打一小孔，将蜂鸣器线引出焊在蜂鸣器上。找一手机耳机夹，固定在蜂鸣器的引脚端。这样，谐振式手机来电提醒器即制作完成。
使用时，把提醒器放人上衣内侧口袋中，把蜂鸣器夹在衣服的领子上即可。如果发现无手机来电时，提醒器还有“嘀嘀”声，这是手机向基站发送的应答信号没有削除干净，需要再增大R4的值。
IC2 P621管脚：(可用CP817代换)
IC2 P621实物图：
TLC27L2CP 集成电路的管教识别：
TLC27L2CP 的管脚图：
V1 场效应管K1113 管脚排列图：
MOS场效应管的检测方法:
（1）．准备工作
测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通
，使人体与大地保持等电位。
再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极
将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极
G。交换表笔重测量，S-D之间
的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。
日本生产的3SK系列产品，S极
与管壳接通，据此很容易确定S极。
（3）．检查放大能力（跨导）
将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS
场效应管有两个栅极G1、G2。
为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
MOS场效应晶体管使用注意事项：
MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括
MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
（1）.MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可
用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。
（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证
原有的保护二极管是否损坏。
VMOS场效应管（VMOSFET）：
简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从左下图上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
VMOS场效应管的检测方法:
（1）．判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表
笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）．判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法
测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔
接D极。
（3）．测量漏-源通态电阻RDS（on）
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一
只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
（4）．检查跨导
将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏
转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRF
001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp
=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设
备中。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最
大功率才能达到30W
场效应晶体管的几点使用知识
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管；绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管．
1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿
由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题．由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在栅极感应出来的电荷就很难通过这个电阻泄放掉，电荷的累积造成了电压的升高，尤其是在极间电容比较小的情况本下，少量的电荷就会产生较高的电压，以至管子还没使用或者在焊接时就已经击穿或者出现指标下降的现象，特别是MOS管，其绝缘层很薄，更易击穿损坏。为了避免出现这样的事故，关键在于避免栅极悬空，也就是在栅源两极之间必须保持直流通路。通常是在栅源两极之间接一个电阻（100K以内），使累积电荷不致过多，或者接一个稳压管，使电压不致超过某一数值。在保存时应使3个电极短路，并放在屏蔽的金属盒内；把管子焊到电路上或取下来时，也应该先将各个电极短路；安装测试时所用的烙铁仪器等要有良好的接地，最好拔掉电烙铁的电源再进行焊接。
2、怎样判断结型场效应管的电极
将万用表置于RX1K挡，用黑表笔接触假定为的栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另外两个管脚，若阻值均比较小（约5~10欧)，再将红黑表笔交换测量一次，如阻值大（无穷），说明都是反向电阻（PN结反向），属N沟道管，且黑表笔接触的管为栅极G，并说明原先假定是正确的。再次测量的阻值均很小，说明是正向电阻，属于P沟道场效应管，黑表笔所接触的也是栅极G。若不出现上述情况，可以调换红黑表笔，按上述方法进测试，直至判断栅极为止。一般结型效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S漏极D不一定要判断，因为这两个极可以互换使用，因此没有必要去判别．源极与漏极之间的电阻约为几千欧．
3．场效应管放大能力的估测
用万用表的RX100挡可以估算场效应管的放大能力．具体测试如下：红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，这样相当于给场效应管加上1.5伏的电源电压，这时表针指示出的是D-S极间的电阻值．然后用手指捏住栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上．由于场效应管的放大作用，Uds和Id都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可以观测到表针有较大幅度的摆动．如果手捏栅极表针摆动很小，说明场效应管的放大能力较弱，若表针不动，说明场效应管已损坏。
注意的是多数场效应管的Rds增大，表针向左摆动，少数场效应管的Rds减小，表针向右摆动．但无论表针摆动方向如何，只要能明显地摆动，就说明管子具有放大能力。但由于MOS管的输入电阻更高，栅极允许的感应电压不应过高，故不能直接用手去捏栅极，必须用手握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止感应电荷直接加到栅极上，引起MOS管的栅极击穿．
4、实例（总结模拟电路中MOS栅极电阻作用）
1、是分压作用
2、下拉电阻是尽快泄放栅极电荷将MOS管尽快截止
3、防止栅极出现浪涌过压（栅极上并联的稳压管也是防止过压产生）
4、全桥栅极电阻也是同样机理，尽快泄放栅极电荷，将MOS管尽快截止。避免栅极悬空，悬空的栅极MOS管将会导通，导致全桥短路
5、驱动管和栅极之间的电阻起到隔离、防止寄生振荡的作用
场效应管管脚排列：
带字的一面面对自己，从左到右依次为：G极（栅极），D极（漏极），S极（源极）。
