光耦选型 光耦速度

近日有同事在使用光耦时(用于普通编码器5V电平与PLC24V电平之间的信号转换)提出了一些诸如导通电流和CE耐压问题,一时懵了,原先使用光耦都是低压情况,用于通讯隔离或IO隔离等,选型时只考虑过光耦的速率和驱动电流。光耦的速率参数取决于应用的场合;而光耦的驱动电流一般2~20mA就可以了,光耦中给出的前向电流(IF)参数最大值一般在50mA。

这次仔细的了解了下,光耦除了速率以后,还有三大重大指标:

1、CTR:电流传输比,即发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值;
2、IsolationVoltage:隔离电压,即发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值;
光耦选型 光耦速度
3、Collector-EmitterVoltage:集电极-发射极电压,即集电极-发射极之间的耐压值的最小值;

在上述的使用背景下,光耦的集电极-发射极电压参数显然是问题的关键,在对比常用的光耦器件后,可以看出常用的TLP521的CE电压最小为55V,SHARP的PC923高速驱动光耦CE最小电压为35V,J而常用的6N137或HCPL2601则为5V(该同事用HCPL2601做实验,光耦输出加9V上拉,结果光耦器件损坏实验失败)。

  

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